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sic épitaxie
nous fournissons une épitaxie sic sur film mince (carbure de silicium) sur des substrats de 6h ou 4h pour le développement de dispositifs en carbure de silicium. sic epi wafer est principalement utilisé pour les diodes schottky, les transistors à effet de champ à semi-conducteur à oxyde de métal, les transistors à effet de champ de jonction, les transistors à jonction bipolaire, les thyristors, gto et bipolaire à grille isolée.tags actifs : sic épitaxie dépôt d'épitaxie plaquette d'épitaxie carbure de silicium sic diode
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gaas epiwafer
Nous fabriquons divers types de matériaux semi-conducteurs dopés au silicium de type n dopés à l'épi wafer iii-v à base de ga, al, in, as et p cultivés par mbe ou mocvd. nous fournissons des structures personnalisées pour répondre aux spécifications des clients. s'il vous plaît nous contacter pour plus d'informations. -
ge (germanium) monocristaux et gaufrettes
pam propose des matériaux semi-conducteurs, une plaquette de monocristal (ge) germanium cultivée par vgf / lec
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