Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible chez les GaSb comparé à ceux de GaSb dopé Te et non dopé. Le mécanisme de transmittance IR élevée est analysé en considérant le processus d'absorption optique impliquant des défauts.
Source: IOPscience
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