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caractérisation des précipités d'oxygène dans les cristaux de silicium-cz par tomographie par diffusion de lumière

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caractérisation des précipités d'oxygène dans les cristaux de silicium-cz par tomographie par diffusion de lumière

2018-08-30

la densité et l'intensité de diffusion de la lumière de l'oxygène précipite dans cz silicium les cristaux sont mesurés par tomographie à diffusion de lumière. les données numériques clarifiées à travers les mesures sont discutées en relation avec la quantité d'oxygène précipité. les résultats obtenus correspondent bien à l'analyse théorique selon laquelle les précipités d'oxygène provoquent la diffusion de la lumière. les informations obtenues par tomographie par diffusion de lumière expliquent très bien le processus de précipitation de l'oxygène dans les cristaux de silicium en cz et les densités de précipités obtenues par cette méthode sont fiables.


source: iopscience


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