pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un des principaux fournisseurs de service epi pour la croissance des wafers laser à base de gaas et d'autres produits et services connexes a annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 3 \"est en production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un naturel en plus de pam-xiamen la gamme de produits. dr. \"Nous sommes heureux d'offrir une str...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
lasers à diode directe ont certaines des caractéristiques les plus attrayantes de tout laser. ils sont très efficaces, compacts, polyvalents en longueur d'onde, peu coûteux et très fiables. Cependant, l'utilisation complète des lasers à diode directe n'a pas encore été réalisée. la mauvaise qualité de laser à diode faisceau lui-même, affecter directement ses domaines d'application, afin de mieux u...
nous rapportons la génération de microdécharges dans des dispositifs composés de microcristallinsdiamant. des décharges ont été générées dans des structures de dispositifs avec des géométries de décharge de cathode à micro-creux. une structure consistait en une plaquette de diamant isolante revêtue de deux couches de diamant dopées au bore. une deuxième structure consistait en une plaquette de dia...
les progrès récents dans la croissance des films sic épitaxiaux sur si sont survolés. les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance de sic films sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films épitaxiaux sur Si sont donnés. on montrera que la nouvelle méthode es...
c'est toujours un grand défi pour les dispositifs à base de semi-conducteurs d'obtenir un grand effet de magnétorésistance (mr) sous un champ magnétique faible à température ambiante. Dans cet article, les effets mr photoinduits sous différentes intensités d'éclairage à température ambiante sont étudiés dans un arséniure de gallium semi-isolant ( si-gaas ) basé sur ag / si-gaas / ag. l...
le processus pour diminuer la densité de dislocation en 3 pouces fe-dopé gaufrettes inp est décrit. le processus de croissance des cristaux est un czochralsky encapsulé liquide classique (lec) mais des écrans thermiques ont été ajoutés afin de diminuer le gradient thermique dans le cristal en croissance. la forme de ces écrans a été optimisée à l'aide de simulations numériques de transfert de ...
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
