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Création ciblée de faisceaux d'ions et modélisation de InAs et InAs / InP nanospikes

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Création ciblée de faisceaux d'ions et modélisation de InAs et InAs / InP nanospikes

2018-09-21

L'irradiation par faisceau d'ions a été examinée en tant que méthode de création de structures de piliers et de cônes semi-conducteurs à l'échelle nanométrique, mais présente l'inconvénient d'un placement imprécis des nanostructures. Nous rapportons une méthode de création et de modélisation à l'échelle nanométrique InAs des pics par irradiation par faisceau ionique focalisé (FIB) des films InA homoépitaxiaux et des InAs hétéroépitaxiaux sur des substrats InP. Ces «nanospikes» sont créés comme des gouttelettes In, formées par irradiation FIB, agissent comme des masques de gravure pour les InAs sous-jacentes. En pré-modelant les InAs pour les influencer Dans le mouvement des gouttelettes, les emplacements nanoscopiques des InAs homoépitaxiales peuvent être contrôlés avec une précision limitée. La création de nanospikes à l'aide d'une hétérostructure InAs / InP fournit une mesure supplémentaire de contrôle sur la forme des pics car les nanospikes ne se formeront pas sur les régions exposées de InP. Cet effet pourrait être exploité pour contrôler avec précision le placement de nanospike en pré-structurant une hétérostructure InAs / InP pour contrôler l'emplacement de l'interface InAs / InP. En utilisant cette méthode de modélisation par hétérostructure, il est possible de placer avec précision des nanospikes dans des tableaux réguliers qui peuvent être utiles pour diverses applications.


Source: IOPscience


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