maison / nouvelles /

algainp epi wafer

nouvelles

algainp epi wafer

2017-08-01

algainp est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes de couleur rouge, orange, verte et jaune à haute brillance, pour former la lumière émettant de l'hétérostructure. il est également utilisé pour fabriquer des lasers à diodes.


couche algainp est souvent cultivée par hétéroépitaxie sur l'arséniure de gallium ou le phosphure de gallium afin de former une structure de puits quantique.



spécifications de gaufrettes algainp sur les puces


algainp a mené la plaquette pour la puce

numéro d'article: pam-cayg1101


dimensions:

technique de croissance - mocvd

matériau de substrat: arséniure de gallium

Conduction du substrat: n type

diamètre: 2 \"


● dimensions de la puce:

1) taille de la puce: taille de face: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)

verso: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)

2) épaisseur de la puce: 7mil (± 1mil)

3) taille de garniture: 4mil (± 0.5mil)

4) structure: voir 1-1


● propriétés photoélectriques

paramètre

condition

min.

typ.

max.

unité

tension directe ( vf1 )

si = 10μa

1,35

v

tension directe ( vf2 )

si = 20ma

2,2

v

tension inverse ( lr )

vr = 10v

2

μa

dominant  longueur d'onde ( λ d)

si = 20ma

565

575

nm

fwhm ( Δλ )

si = 20ma

dix

nm


● intensité lumineuse:

code

lc

ld

le

lf

lg

lh

li

iv (mcd)

20-30

25-35

30-35

35-50

40-60

50-70

60-80


bande interdite d'algainp tendue sur substrat gaas


Dans ce tutoriel, nous souhaitons étudier les bandes passantes de l'alxgayin1-x-yp tendu sur un substrat gaas.

les paramètres du matériau sont pris de

paramètres de bande pour les semiconducteurs composés iii-v et leurs alliages

je. vurgaftman, j.r. Meyer, l.r. ram-mohan

j. appl. phys. 89 (11), 5815 (2001)


pour comprendre l'effet de la contrainte sur la bande interdite sur les composants individuels de ce quaternaire, nous examinons d'abord les effets sur

1) alpage

tendu  tendrement

par rapport à  gaas

2) écart

tendu  tendrement

par rapport à  gaas

3) inp

tendu  compressivement

par rapport à  gaas

4) al X Géorgie 1 fois p

tendu  tendrement

par rapport à  gaas

5) ga X dans 1 fois p

tendu

par rapport à  gaas

6) al X dans 1 fois p

tendu

par rapport à  gaas

7) al 0,4 Géorgie 0,6 p

tendu  tendrement

par rapport à  gaas

8) ga 0,4 dans 0,6 p

tendu  compressivement

par rapport à  gaas

9) al 0,4 dans 0,6 p

tendu  compressivement

par rapport à  gaas


chaque couche de matériau a une longueur de 10 nm dans la simulation.

les couches de matériau 4), 5) et 6) font varier linéairement ses teneurs en alliage:


4) al X Géorgie 1 fois p  de 10 nm à 20 nm de x = 0,0 à x = 1,0

5) ga X dans 1 fois p    de 30 nm à 40 nm de x = 0,0 à x = 1,0

6) al X dans 1 fois p  de 50 nm à 60 nm de x = 1,0 à x = 0,0


indice de réfraction d'algainp


source: pam-xiamen


Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: http://www.semiconductorwafers.net ,

s fin nous email à luna@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .

Contactez nous

Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.
   
Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.