2020-03-17
2020-03-09
algainp est utilisé dans la fabrication de diodes électroluminescentes de couleur rouge, orange, verte et jaune à haute brillance, pour former la lumière émettant de l'hétérostructure. il est également utilisé pour fabriquer des lasers à diodes.
couche algainp est souvent cultivée par hétéroépitaxie sur l'arséniure de gallium ou le phosphure de gallium afin de former une structure de puits quantique.
spécifications de gaufrettes algainp sur les puces
algainp a mené la plaquette pour la puce
numéro d'article: pam-cayg1101
dimensions:
technique de croissance - mocvd
matériau de substrat: arséniure de gallium
Conduction du substrat: n type
diamètre: 2 \"
● dimensions de la puce:
1) taille de la puce: taille de face: 8mil (± 1mil) × 8mil (± 1mil)
verso: 9mil (± 1mil) × 9mil (± 1mil)
2) épaisseur de la puce: 7mil (± 1mil)
3) taille de garniture: 4mil (± 0.5mil)
4) structure: voir 1-1
● propriétés photoélectriques
paramètre |
condition |
min. |
typ. |
max. |
unité |
tension directe ( vf1 ) |
si = 10μa |
1,35 |
﹎ |
﹎ |
v |
tension directe ( vf2 ) |
si = 20ma |
﹎ |
﹎ |
2,2 |
v |
tension inverse ( lr ) |
vr = 10v |
﹎ |
﹎ |
2 |
μa |
dominant longueur d'onde ( λ d) |
si = 20ma |
565 |
﹎ |
575 |
nm |
fwhm ( Δλ ) |
si = 20ma |
﹎ |
dix |
﹎ |
nm |
● intensité lumineuse:
code |
lc |
ld |
le |
lf |
lg |
lh |
li |
iv (mcd) |
20-30 |
25-35 |
30-35 |
35-50 |
40-60 |
50-70 |
60-80 |
bande interdite d'algainp tendue sur substrat gaas
Dans ce tutoriel, nous souhaitons étudier les bandes passantes de l'alxgayin1-x-yp tendu sur un substrat gaas.
les paramètres du matériau sont pris de
paramètres de bande pour les semiconducteurs composés iii-v et leurs alliages
je. vurgaftman, j.r. Meyer, l.r. ram-mohan
j. appl. phys. 89 (11), 5815 (2001)
pour comprendre l'effet de la contrainte sur la bande interdite sur les composants individuels de ce quaternaire, nous examinons d'abord les effets sur
1) alpage |
tendu tendrement |
par rapport à gaas |
2) écart |
tendu tendrement |
par rapport à gaas |
3) inp |
tendu compressivement |
par rapport à gaas |
4) al X Géorgie 1 fois p |
tendu tendrement |
par rapport à gaas |
5) ga X dans 1 fois p |
tendu |
par rapport à gaas |
6) al X dans 1 fois p |
tendu |
par rapport à gaas |
7) al 0,4 Géorgie 0,6 p |
tendu tendrement |
par rapport à gaas |
8) ga 0,4 dans 0,6 p |
tendu compressivement |
par rapport à gaas |
9) al 0,4 dans 0,6 p |
tendu compressivement |
par rapport à gaas |
chaque couche de matériau a une longueur de 10 nm dans la simulation.
les couches de matériau 4), 5) et 6) font varier linéairement ses teneurs en alliage:
4) al X Géorgie 1 fois p de 10 nm à 20 nm de x = 0,0 à x = 1,0 |
5) ga X dans 1 fois p de 30 nm à 40 nm de x = 0,0 à x = 1,0 |
6) al X dans 1 fois p de 50 nm à 60 nm de x = 1,0 à x = 0,0 |
indice de réfraction d'algainp
source: pam-xiamen
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