2020-03-17
2020-03-09
Après un bref examen des progrès réalisés dans les substrats de GaN par la méthode ammonothermique et la méthode de flux de Na et la technologie d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure (HVPE), nos résultats de recherche sur la croissance d'une couche épaisse de GaN par un HVPE modulé par le flux de gaz, éliminant la couche de GaN à travers un un processus d'auto-séparation efficace du substrat de saphir et la modification de l'uniformité de la croissance de plusieurs tranches sont présentés. Les effets de la morphologie de surface et des comportements de défauts sur la croissance homo-épitaxiale de GaN sur un substrat autoportant sont également discutés, suivis des progrès des LED sur des substrats de GaN et des perspectives de leurs applications dans l'éclairage à semi-conducteurs. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Les films de carbone amorphe dopés au Co (aC:Co), déposés par dépôt laser pulsé, présentent des caractéristiques de contact pn et ohmique avec du GaAs à faible résistivité de type n (L-GaAs) et du GaAs semi-isolé à haute résistivité (S-GaAs). La photosensibilité augmente pour aC:Co/L-GaAs, tandis que l'inverse diminue pour l'hétérojonction aC:Co/S-GaAs, respectivement. De plus, la photosensibilité améliorée pour l'hétérojonction aC:Co/L-GaAs/Ag montre également un comportement de dépendance à la température de dépôt, et la température de dépôt optimale est d'environ 500 °C. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Nous avons produit et caractérisé avec succès des films minces monocristallins de Ge sur des substrats de saphir (GeOS). Un tel modèle GeOS offre une alternative rentable aux substrats de germanium en vrac pour les applications où seule une fine couche de Ge (<2 µm) est nécessaire pour le fonctionnement du dispositif. Les modèles GeOS ont été réalisés en utilisant la technique Smart CutTM. Des gabarits GeOS de 100 mm de diamètre ont été fabriqués et caractérisés pour comparer la couche mince Gepropriétés avec le volume Ge. L'inspection des défauts de surface, le SEM, l'AFM, la gravure des défauts, la spectroscopie XRD et Raman ont tous été effectués. Les résultats obtenus pour chaque technique de caractérisation utilisée ont mis en évidence que les propriétés matérielles du film mince de Ge transféré étaient très proches de celles d'une référence massive de Ge. Une double hétérostructure épitaxiale AlGaInP/GaInP/AlGaInP a été développée sur le modèle GeOS pour démontrer la stabilité du modèle dans les conditions rencontrées dans la réalisation typique du dispositif. Le comportement photoluminescent de cette structure épitaxiale était presque identique à celui d'une structure similaire développée sur un substrat massif de Ge. Les matrices GeOS offrent donc une alternative viable aux substrats Ge massifs dans la fabrication de dispositifs dont le fonctionnement est compatible avec une structure en couches minces. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Les caractéristiques d'absorption et de réfraction non linéaires dépendant de l'intensité des couches minces d'InSb cristallinsont étudiés par la méthode z-scan à une longueur d'onde laser de 405 nm. Les résultats montrent que le coefficient d'absorption non linéaire des couches minces d'InSb cristallin est de l'ordre de ~ + 10−2 m W−1, et l'indice de réfraction non linéaire est de l'ordre de ~ + 10−9 m2 W−1. Des mesures de spectroscopie ellipsométrique à température variable et des analyses de processus électroniques ainsi que des calculs théoriques sont utilisés pour discuter des mécanismes internes responsables de la non-linéarité optique géante. Les résultats de l'analyse indiquent que l'absorption non linéaire provient principalement de l'effet d'absorption des porteurs libres induit par le laser, tandis que la réfraction non linéaire provient principalement de l'effet thermique dû au rétrécissement de la bande interdite et de l'effet porteur dû au processus de transition des électrons, respectivement. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Cet article propose un redresseur Schottky à barrière de jonction double épi-couches 4H – SiC (JBSR) avec couche P intégrée (EPL) dans la région de dérive. La structure est caractérisée par la couche de type Pformé dans la couche de dérive de type n par un processus de surcroissance épitaxiale. Le champ électrique et la distribution de potentiel sont modifiés en raison de la couche P enterrée, ce qui entraîne une tension de claquage élevée (BV) et une faible résistance spécifique à l'état passant (Ron, sp). Les influences des paramètres de l'appareil, tels que la profondeur des régions P+ intégrées, l'espace entre elles et la concentration de dopage de la région de dérive, etc., sur BV et Ron,sp sont étudiées par des simulations, ce qui fournit une ligne directrice particulièrement utile pour la conception optimale de l'appareil. Les résultats indiquent que le BV est augmenté de 48,5 % et que le facteur de mérite de Baliga (BFOM) est augmenté de 67,9 % par rapport à un JBSR 4H-SiC conventionnel. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Dans une tentative de réalisation d'une hétérointerface InP – Si , une méthode nouvelle et générique, la technique de surcroissance latérale épitaxiale ondulée (CELOG) dans un réacteur d'épitaxie en phase vapeur d'hydrure, a été étudiée. Une couche germe InP sur Si(0 0 1) a été modelé en bandes mésa gravées étroitement espacées, révélant la surface de Si entre elles. La surface avec les rayures mesa ressemble à une surface ondulée. Le dessus et les parois latérales des bandes mesa ont ensuite été recouverts d'un masque de SiO2, après quoi les ouvertures de ligne au-dessus des bandes mesa ont été modelées. La croissance d'InP a été réalisée sur cette surface ondulée. Il est montré que la croissance d'InP émerge sélectivement des ouvertures et non sur la surface de silicium exposée, mais se propage progressivement latéralement pour créer une interface directe avec le silicium, d'où le nom CELOG. Nous étudions le comportement de croissance à l'aide de paramètres de croissance. La croissance latérale est délimitée par des plans limites d'indice élevé de {3 3 1} et {2 1 1}. L'arrangement atomique de ces plans, L'incorporation de dopants dépendant de l'orientation cristallographique et la sursaturation de la phase gazeuse affectent l'étendue de la croissance latérale. Un rapport de taux de croissance latéral à vertical aussi grand que 3,6 est atteint. Les études de diffraction des rayons X confirment une amélioration substantielle de la qualité cristalline du CELOG InP par rapport à la couche de germination InP. Des études de microscopie électronique à transmission révèlent la formation d'une hétérointerface directe InP – Si par CELOG sans dislocations de filetage. Bien qu'il ait été démontré que CELOG évite les dislocations qui pourraient survenir en raison du grand décalage de réseau (8%) entre InP et Si, des défauts de jalonnement pourraient être observés dans la couche. Celles-ci sont probablement créées par la rugosité de surface de la surface Si ou du masque SiO2 qui, à son tour, aurait été une conséquence des traitements initiaux du procédé. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Pour évaluer les propriétés de transport de charge des cristaux de CdZnTe à haute résistivité , dopés avec In/Al, la réponse spectroscopique des particules α a été mesurée à l'aide d'une source radioactive non collimatée de 241Am (5,48 MeV) à température ambiante. Les produits de durée de vie de la mobilité électronique (μτ) e des cristaux de CdZnTe ont été prédits en ajustant les tracés de la position du pic photo en fonction de l'intensité du champ électrique à l'aide de l'équation de Hecht à porteur unique. Une technique TOF a été utilisée pour évaluer la mobilité électronique des cristaux de CdZnTe. La mobilité a été obtenue en ajustant les vitesses de dérive des électrons en fonction des intensités de champ électrique, où les vitesses de dérive ont été obtenues en analysant les distributions de temps de montée des impulsions de tension formées par un préamplificateur. Un détecteur planaire CdZnTe fabriqué basé sur un cristal CdZnTe dopé à faible concentration en In avec (μτ)e = 2,3 × 10−3 cm2/V et μe = 1000 cm2/(V dot ms), respectivement, présente une excellente résolution spectrale de rayons γ de 6,4 % (FWHM = 3,8 keV) pour un isotope 241Am non collimaté à 59,54 keV. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
Nous avons réalisé la croissance de zone sélective de GaN et fabriqué des MQW InGaN/GaN sur des substrats de GaN massifs non et semi-polaires par MOVPE. Les différences dans les structures de GaN et l'incorporation d'In des MQW InGaN/GaN cultivés sur des substrats de GaN non et semi-polaires ont été étudiées. Dans le cas de la croissance en zone sélective, différentes structures de GaN ont été obtenues sur des substrats de GaN, GaN et GaN. Un motif répétitif de et de facettes est apparu sur GaN. Ensuite, nous avons fabriqué des MQW InGaN/GaN sur les structures à facettes sur GaN. Les propriétés d'émission caractérisées par la cathodoluminescence étaient différentes pour et facettes. D'autre part, pour les MQW InGaN / GaN sur des substrats GaN non et semi-polaires, des étapes le long de l'axe a ont été observées par AFM. En particulier sur GaN, des ondulations et des regroupements d'ondulations sont apparus. La caractérisation de la photoluminescence a indiqué que l'incorporation d'In augmentait avec le décalage par rapport au plan m et dépendait également de la polarité. Source : IOPscience Pour plus d'informations, veuillez visiter notre site Web : www.semiconductorwafers.net , envoyez-nous un e-mail à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
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