2020-03-17
2020-03-09
sur la base des modèles analytiques physiques basés sur l'équation de poisson, les équations de dérive-diffusion et de continuité, les caractéristiques courant-tension de 6h-sic et 4h-sic type diode schottky avec ni et ti schottky contact ont été simulés. il est montré sur la base de l'analyse des caractéristiques courant-tension en termes de théorie classique d'émission thermionique, il est montré que le modèle de simulation proposé de diode schottky correspond à la diode presque \"idéale\" avec le facteur d'idéalité n 1.1. Pour cette raison, il est déterminé que la hauteur efficace de barrière schottky phivb est égale à 1,57 ev et 1,17 ev pour ni / 6h et ti / 4h de type diode schottky au carbure de silicium, respectivement.
source: iopscience
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