points forts

• Des films minces n-polaires inaln ont été développés sur des substrats de gan par épitaxie par jets moléculaires.

• la morphologie de surface est passée de quasi-3d à un écoulement par étapes à haute température.

• une saturation en indium a été observée pour augmenter le flux d'indium à haute température.

• l'augmentation du flux d'aluminium a aidé à accroître l'efficacité de l'incorporation de l'indium.

• Des films inaln n-polaires avec une rugosité RMS de 0,19 nm ont été démontrés.

abstrait

Des couches minces inaln n-polaires ont été cultivées par épitaxie par faisceau moléculaire assistée par plasma sur des substrats de gan autostables dans des conditions riches en n. les flux d'indium et d'aluminium ont varié indépendamment à des températures de substrat inférieures et supérieures au début de la désorption thermique de l'indium. à basses températures, la composition inaln et le taux de croissance sont déterminés par les flux du groupe-iii. avec l'augmentation de la température du substrat, la morphologie de surface passe de quasi-3d à une morphologie 2d lisse à des températures significativement au-dessus du début de la perte d'indium. à des températures plus élevées, nous observons une augmentation de l'évaporation de l'indium avec des flux d'indium plus élevés et une suppression de l'évaporation de l'indium avec une augmentation du flux d'aluminium. le film mince inaln optimisé final se traduit par une morphologie à écoulement progressif avec une rugosité efficace de 0,19 nm et une qualité interfaciale élevée.

mots clés

a1. la morphologie des cristaux; a1. désorption; a3. épitaxie par faisceau moléculaire; b1. des nitrures; b2. composés ternaires semi-conducteurs

source: sciencedirect

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