des couches aln non polaires de plan a et de plan m ont été développées sur des substrats 6h-sic dans le plan et dans le plan m par une épitaxie en phase vapeur à l'hydrure à basse pression (lp-hvpe), respectivement. les effets de la température de croissance ont été étudiés. les résultats ont montré que la rugosité de surface était réduite en augmentant la température pour les couches aln à la fois plan et m. l'anisotropie morphologique dans le plan a été révélée par la microscopie électronique à balayage et la microscopie à force atomique, qui a été utilisée pour imager les transitions morphologiques et structurelles avec la température. l'anisotropie dans les courbes de basculement des rayons X sur l'axe a également été détectée par diffraction des rayons X à haute résolution. cependant, par rapport à la couche aln de plan a, une surface lisse a été facilement obtenue pour la couche aln de plan m avec une bonne qualité cristalline. la température optimale était plus faible pour la couche aln du plan m que pour la couche aln du plan a. les caractéristiques de contrainte des couches aln non polaires ont été étudiées en utilisant des spectres raman polarisés. Les résultats ont montré la présence de contraintes anisotropes dans le plan à l'intérieur des couches épitaxiales aln non polaires.

mots clés

a1. anisotropie dans le plan; a1. non polaire; a1. spectre de raman; a3. épitaxie en phase vapeur par hydrure; b2. aln a-plan et m-plan; b2. substrat sic

source: sciencedirect

Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web: www.powerwaywafer.com , envoyez-nous un email à sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .