2020-03-17
2020-03-09
Des couches de p-3C–SiC hautement dopées de bonne perfection cristalline ont été développées par épitaxie par sublimation sous vide. L'analyse des spectres de photoluminescence et de la dépendance à la température de la concentration en porteurs montre qu'au moins deux types de centres accepteurs à ~ E V + 0, 25 eV et à E V + 0, 06–0, 07 eV existent dans les échantillons étudiés. Une conclusion est atteinte que des couches de ce type peuvent être utilisées comme émetteurs p dans des dispositifs 3C-SiC.
Source : IOPscience
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