On rapporte des lasers à émission quantique à puissance quantique inganas / gaas à large bande de puissance élevée (qw) sur des substrats de gaas de 1200 nm. les couches épitaxiales des plaquettes laser inganas / gaas qw ont été cultivées sur des substrats n + -gaas en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur organométallique (mocvd). l'épaisseur des couches inganas / gaas qw est de 70 Å / 1200 Å. la teneur en indium (x) des couches inxga1-xnyas1-y qw est estimée à 0,35-0,36, tandis que la teneur en azote (y) est estimée à 0,006-0,009. plus la teneur en indium (en) et la teneur en azote (n) dans la couche inganas qw permet l'émission laser jusqu'à 1300 nm. la qualité de la couche épitaxiale est cependant limitée par la déformation dans la couche développée. les appareils ont été réalisés avec des largeurs de crête différentes de 5 à 50 μm. une densité de courant seuil (jth) très basse de 80 a / cm2 a été obtenue pour le ld 50 μm x 500 μm. un certain nombre d'épi-gaufrettes d'inganas / gaas ont été transformées en ld de large zone. une puissance de sortie maximale de 95 mw a été mesurée pour les inganas / gaas qw lds à large zone. les variations dans les puissances de sortie des leds de large zone sont principalement dues aux défauts induits par les contraintes des couches de inganas qw.

source: sciencedirect

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