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gravure de plaquette
la plaquette de gravure présente les caractéristiques de faible rugosité, de bonne brillance et de coût relativement faible, et substitue directement la plaquette polie ou plaquette épitaxiale qui a un coût relativement élevé pour produire les éléments électroniques dans certains domaines, afin de réduire les coûts. il y a les plaquettes de gravure à faible rugosité, à faible réflectivité et à forte réflectivité.tags actifs : gravure de plaquette gravure de plaquette de silicium mems gravure au plasma processus de gravure pecvd
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nanofabrication
pam-xiamen offre une plaque de photorésist avec photoresist nous pouvons offrir la nanolithographie (photolithographie): préparation de surface, application de photorésist, cuisson douce, alignement, exposition, développement, cuisson dure, développement d'inspection, gravure, enlèvement de photorésist (bande), inspection finale.tags actifs : photolithographie nanofabrication fabrication de plaquettes photorésist fabrication de semi-conducteurs fabrication de plaquettes
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plaquette inp
xiamen powerway offre une plaquette inp - phosphure d'indium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) ou vgf (gel vertical gradient) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, p type ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou ( 100). -
plaquette insb
xiamen powerway propose une plaquette insb - antimoniure d 'indium qui sont cultivées par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi - prêt ou mécanique avec type n, type p ou semi - isolant dans différentes orientations (111) ou (100). -
Inas wafer
xiamen powerway offre inas wafer - arséniure d'indium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé liquide) comme grade épi-prêt ou mécanique de type n, p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).tags actifs : Inas wafer substrat inas plaquette d'arséniure d'indium substrat d'arséniure d'indium semi-conducteur d'arséniure d'indium structure d'arséniure d'indium
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plaquette gasb
xiamen powerway propose une plaquette gasb - antimoniure de gallium qui sont cultivés par lec (czochralski encapsulé dans un liquide) comme grade épi-ready ou mécanique avec type n, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100) -
tranche d'espace
Xiamen powerway offre plaquette gap - phosphure de gallium qui sont cultivés par lec (liquide encapsulé czochralski) comme grade épi-prêt ou mécanique avec n type, type p ou semi-isolant dans différentes orientations (111) ou (100).
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