Le  paramètre de réseau d' axe a de Bi 2 Se 3  est presque identique à la périodicité de réseau de la surface InP (1 1 1). Nous obtenons ainsi des couches de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) remarquablement lisses en croissance par épitaxie à parois chaudes sur des substrats InP (1 1 1)B. La périodicité adaptée au réseau est préservée dans les directions [1 1 0] et [ ] de la surface (0 0 1). Les couches de Bi 2 Se 3  développées sur des substrats InP (0 0 1) présentent une symétrie dans le plan de 12 fois lorsque la direction [ ] de Bi 2 Se 3  est alignée sur l'une des deux directions. Lorsque le substrat InP orienté (1 1 1)s sont inclinées, les couches de Bi 2 Se 3  (0 0 0 1) développent des marches d'une hauteur d'environ 50 nm. L'inclinaison de l'axe Bi 2 Se 3  [0 0 0 1] par rapport à la surface de croissance est responsable de la création des marches. Il est ainsi mis en évidence que la croissance épitaxiale a lieu plutôt que la croissance de van der Waals. Nous soulignons ses implications sur les états de surface des isolants topologiques.

Source : IOPscience

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