points forts

• Les effets de la largeur de pas atomique sur l'élimination des tranches de saphir et sic sont étudiés.

• La raison des effets de la largeur du pas sur le retrait et le modèle sont discutés.

• Le modèle d'enlèvement cmp de la plaquette hexagonale pour obtenir une surface atomiquement lisse est proposé.

• les variations de la morphologie de l'étape atomique vers les défauts sont analysées.

• Le mécanisme de formation des défauts est discuté.

Abstrait

vers le saphir et la tranche de sic, la morphologie claire et régulière de l'étape atomique peut être observée sur toute la surface par afm. cependant, les variations des largeurs de pas atomiques et des directions de pas sont différentes sur l'ensemble des différentes surfaces des plaquettes: celles sur les plaquettes de saphir sont uniformes, tandis que celles sur les plaquettes sont distinctes. les effets de la largeur de pas atomique sur le taux d'élimination sont étudiés. modèle de retrait de la plaquette super-dur pour réaliser une surface ultra-lisse atomique est proposé. les variations de la morphologie de l'étape atomique vers différents défauts sur la surface des plaquettes de saphir et de sic sont analysées, et le mécanisme de formation est discuté.

mots clés

polissage chimico-mécanique (cmp); saphir; carbure de silicium (sic); étape atomique

source: sciencedirect

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