points forts

• l'épaisseur du graphène cultivé sur sic a été déterminée par un profilage en profondeur aes.

• le profil de profondeur aes a vérifié la présence de couche tampon sur sic.

• la présence de liaisons si insaturées dans la couche tampon a été montrée.

• en utilisant l'analyse multipoint, la distribution de l'épaisseur du graphène sur la plaquette a été déterminée.

spectroscopie des électrons auger (aes), le profilage en profondeur a été appliqué pour la détermination de l'épaisseur d'une feuille de graphène de taille macroscopique développée sur 2 po 6h-sic (0 0 0 1) par épitaxie par sublimation. le profil de profondeur mesuré a dévié de la forme exponentielle attendue montrant la présence d'une couche tampon supplémentaire. le profil de profondeur mesuré a été comparé à celui simulé qui a permis la dérivation des épaisseurs des couches de graphène et de tampon et la concentration de si de la couche tampon. il a été montré que la couche tampon de type graphène contient environ 30% de si insaturés. le profil de profondeur a été réalisé en plusieurs points (diamètre 50 μm), ce qui a permis la construction d'une distribution d'épaisseur caractérisant l'uniformité de la feuille de graphène.

mots clés

graphène sur sic; composition de couche tampon; aes profilage en profondeur; l'épaisseur du graphène; épitaxie par sublimation

source: sciencedirect

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