la densité et l'intensité de diffusion de la lumière de l'oxygène précipite dans cz silicium les cristaux sont mesurés par tomographie à diffusion de lumière. les données numériques clarifiées à travers les mesures sont discutées en relation avec la quantité d'oxygène précipité. les résultats obtenus correspondent bien à l'analyse théorique selon laquelle les précipités d'oxygè...
Pour réaliser du carbure de silicium haute performance ( SiC ) des dispositifs de puissance, des contacts ohmiques à faible résistance au SiC de type p doivent être développés. Pour réduire la résistance de contact ohmique, une réduction de la hauteur de la barrière aux interfaces métal / SiC ou une augmentation de la concentration de dopage dans les substrats SiC est nécessaire. La réduction de l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Nous présentons une méthode sans contact pour la détermination du temps de réponse thermique des capteurs de température intégrés dans des plaquettes. Dans cette méthode, une lampe flash éclaire un point de la plaquette en impulsions périodiques; la tache est du côté opposé au capteur testé. La constante de temps thermique du capteur est alors obtenue à partir de la mesure de sa réponse temporelle...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...
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