Les caractéristiques lasers dépendantes de la température de collage de la diode laser (LD) GaInAsP de 1,5 µm développée sur une Substrat InP ou Si substrat ont été obtenus avec succès. Nous avons fabriqué le InP substrat ou substrat de Si utilisant une technique de liaison hydrophile directe sur tranche à des températures de liaison de 350, 400 et 450 ° C, et GaInAsP déposé ou Double couche d'...
Nous avons amélioré l'efficacité des antennes photoconductrices (PCA) en utilisant du GaAs développé à basse température (LT-GaAs). Nous avons constaté que les propriétés physiques des couches photoconductrices LT-GaAs affectent grandement les caractéristiques de génération et de détection des ondes térahertz (THz). En génération THz, la forte mobilité des porteurs photoexcités et la présence de q...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...
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