Au cours de la dernière décennie, les composés iii-n ont suscité beaucoup d'intérêt en raison de leurs applications dans l'optoélectronique bleue, violette et ultraviolette. La plupart des appareils et des recherches utilisent le saphir comme substrat pour l'épitaxie des nitrures. cependant, ces épi-structures contiennent une densité de dislocations très élevée induite par le mésappariement de rés...
une couche de recouvrement en graphite a été évaluée pour protéger la surface de tranches épitaxiées 4h-sic à motif et implantées sélectivement pendant le recuit post-implantation. La résine photosensible az-5214e a été filée et cuite sous vide à des températures allant de 750 à 850 ° C pour former un revêtement continu sur des surfaces sic planaires et mésa-gravées avec des caractéristiques allan...
pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
Dans cet article, nous passons en revue les développements de la production de tranches non polaires (c'est-à-dire m-plan et a-plan) et semi-polaires (c'est-à-dire (20.1)) par méthode ammonothermale. la méthode de croissance et les résultats de polissage sont décrits. nous avons réussi à produire des plaquettes non-et semi-polaires de 26 mm × 26 mm. ces plaquettes possèdent des propriétés structur...
des paillettes de pb (zr0.2ti0.8) o3 bien ordonnées ont été fabriquées sur toute la surface (10 mm x 10 mm) de l'électrode inférieure srruo3 sur un substrat monocristallin srtio3 en utilisant la lithographie par interférence laser (lil) combiné avec un dépôt laser pulsé. la forme et la taille des nanostructures étaient contrôlées par la quantité de pzt déposée à travers les trous à motifs et la te...
nous présentons un nouveau processus d'intégration germanium avec des tranches de silicium sur isolant (soi). le germanium est implanté dans le sol qui est ensuite oxydé, piégeant le germanium entre les deux couches d'oxyde (l'oxyde de croissance et l'oxyde enterré). avec un contrôle minutieux des conditions d'implantation et d'oxydation, ce processus crée une fine couche (les expériences actuelle...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
nous rapportons la génération de microdécharges dans des dispositifs composés de microcristallinsdiamant. des décharges ont été générées dans des structures de dispositifs avec des géométries de décharge de cathode à micro-creux. une structure consistait en une plaquette de diamant isolante revêtue de deux couches de diamant dopées au bore. une deuxième structure consistait en une plaquette de dia...
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