un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le substrat si via des trous.

cet ourlet avec un design dlc a également maintenu une densité de courant stable dans des conditions de flexion (déformation: 0,01%). l'imagerie thermographique infrarouge a montré que la résistance thermique de la couche d'ourlage multi-doigts standard était de 13,6 kw et qu'elle était améliorée à 5,3 kw en raison du processus de micro-usinage avec une couche composite dlc / ti arrière. ainsi, la couche de dissipation de chaleur dlc / ti proposée a réalisé une gestion thermique efficace dans les housses de puissance gan.

( source: iopscience )

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