une couche de recouvrement en graphite a été évaluée pour protéger la surface de tranches épitaxiées 4h-sic à motif et implantées sélectivement pendant le recuit post-implantation. La résine photosensible az-5214e a été filée et cuite sous vide à des températures allant de 750 à 850 ° C pour former un revêtement continu sur des surfaces sic planaires et mésa-gravées avec des caractéristiques allan...
pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un des principaux fournisseurs de service epi pour la croissance des wafers laser à base de gaas et d'autres produits et services connexes a annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 3 \"est en production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un naturel en plus de pam-xiamen la gamme de produits. dr. \"Nous sommes heureux d'offrir une str...
nous présentons un nouveau processus d'intégration germanium avec des tranches de silicium sur isolant (soi). le germanium est implanté dans le sol qui est ensuite oxydé, piégeant le germanium entre les deux couches d'oxyde (l'oxyde de croissance et l'oxyde enterré). avec un contrôle minutieux des conditions d'implantation et d'oxydation, ce processus crée une fine couche (les expériences actuelle...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le s...
lasers à diode directe ont certaines des caractéristiques les plus attrayantes de tout laser. ils sont très efficaces, compacts, polyvalents en longueur d'onde, peu coûteux et très fiables. Cependant, l'utilisation complète des lasers à diode directe n'a pas encore été réalisée. la mauvaise qualité de laser à diode faisceau lui-même, affecter directement ses domaines d'application, afin de mieux u...
une hétérojonction inas / si formée par un procédé de liaison par tranche humide avec une température de recuit de 350 ° C a été étudiée par microscopie électronique à transmission (tem). inas et si ont été observés comme étant uniformément liés sans aucun vide dans un champ de vision de 2 μm de long dans une image tem à fond clair. une image tem haute résolution a révélé que, entre leinaset ...
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