Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible ...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...
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