une couche de recouvrement en graphite a été évaluée pour protéger la surface de tranches épitaxiées 4h-sic à motif et implantées sélectivement pendant le recuit post-implantation. La résine photosensible az-5214e a été filée et cuite sous vide à des températures allant de 750 à 850 ° C pour former un revêtement continu sur des surfaces sic planaires et mésa-gravées avec des caractéristiques allan...
des paillettes de pb (zr0.2ti0.8) o3 bien ordonnées ont été fabriquées sur toute la surface (10 mm x 10 mm) de l'électrode inférieure srruo3 sur un substrat monocristallin srtio3 en utilisant la lithographie par interférence laser (lil) combiné avec un dépôt laser pulsé. la forme et la taille des nanostructures étaient contrôlées par la quantité de pzt déposée à travers les trous à motifs et la te...
www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...
les progrès récents dans la croissance des films sic épitaxiaux sur si sont survolés. les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance de sic films sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films épitaxiaux sur Si sont donnés. on montrera que la nouvelle méthode es...
c'est toujours un grand défi pour les dispositifs à base de semi-conducteurs d'obtenir un grand effet de magnétorésistance (mr) sous un champ magnétique faible à température ambiante. Dans cet article, les effets mr photoinduits sous différentes intensités d'éclairage à température ambiante sont étudiés dans un arséniure de gallium semi-isolant ( si-gaas ) basé sur ag / si-gaas / ag. l...
Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tou...
cet article propose une nouvelle tridimensionnelle (3d) photolithographie technologie pour un procédé de micropatterning haute résolution sur un substrat fibreux. une brève revue de la technologie de lithographie de la surface non plane est également présentée. La technologie proposée comprend principalement la microfabrication du module d'exposition 3D et le dépôt par pulvérisation de films d...
Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible ...