pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
xiamen powerway advanced material co., ltd., un des principaux fournisseurs de service epi pour la croissance des wafers laser à base de gaas et d'autres produits et services connexes a annoncé la nouvelle disponibilité de la taille 3 \"est en production de masse en 2017. ce nouveau produit représente un naturel en plus de pam-xiamen la gamme de produits. dr. \"Nous sommes heureux d'offrir une str...
nanostructures sous-monocouches à haute résistance à la traction sur gasb ont été cultivés par épitaxie par jets moléculaires et étudiés par microscopie à effet tunnel à balayage ultra-vide. quatre taux de couverture différents des ge nanostructures sur gasb sont obtenus et étudiés. on trouve que la croissance de ge on gasb suit le mode de croissance 2d. le réseau cristallin de la sous-monocouche ...
Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible ...
Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection. Les motifs de ...
Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...
Une méthode d'imagerie non destructive sans contact pour la concentration de dopant à résolution spatiale, [2.2] N d, et la résistivité électrique, ρ, de tranches de silicium de type n et pà l'aide d'images de porteuse de verrouillage à différentes intensités d'irradiation laser est présenté. Des informations d'amplitude et de phase provenant de sites de plaquettes avec une résistivité connue ont ...