Au cours de la dernière décennie, les composés iii-n ont suscité beaucoup d'intérêt en raison de leurs applications dans l'optoélectronique bleue, violette et ultraviolette. La plupart des appareils et des recherches utilisent le saphir comme substrat pour l'épitaxie des nitrures. cependant, ces épi-structures contiennent une densité de dislocations très élevée induite par le mésappariement de réseau de 16% entre gan et le saphir. Dans notre laboratoire, nous cultivons des monocristaux de gan à une pression hydrostatique élevée de 10 kbar d'azote. ces cristaux ont une densité de dislocation ultra faible et sont utilisés avec succès pour la construction de diodes laser violettes. Ce travail présente des données expérimentales de diffraction des rayons X à haute résolution et de photoluminescence. Ce travail comprend trois parties: (i) comparaison entre les substrats de gan et les gan / saphirs; (ii) influence de algan couches sur l'inclinaison des échantillons; (iii) microstructure de plusieurs puits quantiques ingan / gan .

Soource: iopscience

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