la condition de croissance de mince lourdement dopé mg gan la couche de recouvrement et son effet sur la formation de contact ohmique du gan de type p ont été étudiés. il est confirmé que le dopage mg excessif peut effectivement améliorer le contact ni / au p- gan après recuit à 550 ° c. lorsque le rapport de débit entre les sources de gaz mg et ga est de 6,4% et la largeur de couche est de 25 nm,...