pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
Dans cet article, nous passons en revue les développements de la production de tranches non polaires (c'est-à-dire m-plan et a-plan) et semi-polaires (c'est-à-dire (20.1)) par méthode ammonothermale. la méthode de croissance et les résultats de polissage sont décrits. nous avons réussi à produire des plaquettes non-et semi-polaires de 26 mm × 26 mm. ces plaquettes possèdent des propriétés structur...
www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...
le processus pour diminuer la densité de dislocation en 3 pouces fe-dopé gaufrettes inp est décrit. le processus de croissance des cristaux est un czochralsky encapsulé liquide classique (lec) mais des écrans thermiques ont été ajoutés afin de diminuer le gradient thermique dans le cristal en croissance. la forme de ces écrans a été optimisée à l'aide de simulations numériques de transfert de ...
Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tou...
cet article propose une nouvelle tridimensionnelle (3d) photolithographie technologie pour un procédé de micropatterning haute résolution sur un substrat fibreux. une brève revue de la technologie de lithographie de la surface non plane est également présentée. La technologie proposée comprend principalement la microfabrication du module d'exposition 3D et le dépôt par pulvérisation de films d...
L'irradiation par faisceau d'ions a été examinée en tant que méthode de création de structures de piliers et de cônes semi-conducteurs à l'échelle nanométrique, mais présente l'inconvénient d'un placement imprécis des nanostructures. Nous rapportons une méthode de création et de modélisation à l'échelle nanométrique InAs des pics par irradiation par faisceau ionique focalis...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
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