Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tournées de 30 $ ^ {{}} circ. expériences de diffraction des rayons X synchrotron ont révélé que le inas les segments se détendent au-dessus des gaas, avec une structure cristalline à zincblende prédominante et des failles empilables.
source: iopscience
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