nanostructures sous-monocouches à haute résistance à la traction sur gasb ont été cultivés par épitaxie par jets moléculaires et étudiés par microscopie à effet tunnel à balayage ultra-vide. quatre taux de couverture différents des ge nanostructures sur gasb sont obtenus et étudiés. on trouve que la croissance de ge on gasb suit le mode de croissance 2d. le réseau cristallin de la sous-monocouche ge Les nanostructures sont cohérentes avec celles de la gasb, induisant une contrainte de traction aussi élevée que 7,74% dans les nanostructures ge.
source: iopscience
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