www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...
lasers à diode directe ont certaines des caractéristiques les plus attrayantes de tout laser. ils sont très efficaces, compacts, polyvalents en longueur d'onde, peu coûteux et très fiables. Cependant, l'utilisation complète des lasers à diode directe n'a pas encore été réalisée. la mauvaise qualité de laser à diode faisceau lui-même, affecter directement ses domaines d'application, afin de mieux u...
c'est toujours un grand défi pour les dispositifs à base de semi-conducteurs d'obtenir un grand effet de magnétorésistance (mr) sous un champ magnétique faible à température ambiante. Dans cet article, les effets mr photoinduits sous différentes intensités d'éclairage à température ambiante sont étudiés dans un arséniure de gallium semi-isolant ( si-gaas ) basé sur ag / si-gaas / ag. l...
Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tou...
cet article propose une nouvelle tridimensionnelle (3d) photolithographie technologie pour un procédé de micropatterning haute résolution sur un substrat fibreux. une brève revue de la technologie de lithographie de la surface non plane est également présentée. La technologie proposée comprend principalement la microfabrication du module d'exposition 3D et le dépôt par pulvérisation de films d...
Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible ...
Nous avons amélioré l'efficacité des antennes photoconductrices (PCA) en utilisant du GaAs développé à basse température (LT-GaAs). Nous avons constaté que les propriétés physiques des couches photoconductrices LT-GaAs affectent grandement les caractéristiques de génération et de détection des ondes térahertz (THz). En génération THz, la forte mobilité des porteurs photoexcités et la présence de q...
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