Au cours de la dernière décennie, les composés iii-n ont suscité beaucoup d'intérêt en raison de leurs applications dans l'optoélectronique bleue, violette et ultraviolette. La plupart des appareils et des recherches utilisent le saphir comme substrat pour l'épitaxie des nitrures. cependant, ces épi-structures contiennent une densité de dislocations très élevée induite par le mésappariement de rés...
Dans cet article, nous passons en revue les développements de la production de tranches non polaires (c'est-à-dire m-plan et a-plan) et semi-polaires (c'est-à-dire (20.1)) par méthode ammonothermale. la méthode de croissance et les résultats de polissage sont décrits. nous avons réussi à produire des plaquettes non-et semi-polaires de 26 mm × 26 mm. ces plaquettes possèdent des propriétés structur...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le s...
lasers à diode directe ont certaines des caractéristiques les plus attrayantes de tout laser. ils sont très efficaces, compacts, polyvalents en longueur d'onde, peu coûteux et très fiables. Cependant, l'utilisation complète des lasers à diode directe n'a pas encore été réalisée. la mauvaise qualité de laser à diode faisceau lui-même, affecter directement ses domaines d'application, afin de mieux u...
la condition de croissance de mince lourdement dopé mg gan la couche de recouvrement et son effet sur la formation de contact ohmique du gan de type p ont été étudiés. il est confirmé que le dopage mg excessif peut effectivement améliorer le contact ni / au p- gan après recuit à 550 ° c. lorsque le rapport de débit entre les sources de gaz mg et ga est de 6,4% et la largeur de couche est de 25 nm,...
le développement du marché des semi-conducteurs de puissance SiC et GaN L’état actuel de la technologie et du marché du SiC, et les tendance de développement au cours des prochaines années. Le marché des dispositifs SiC est prometteur. Vente de la barrière de Schottky les diodes ont mûri et les expéditions de MOSFET devraient augmenter considérablement au cours des trois prochaines années. Selon l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
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