Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...