le développement du marché des semi-conducteurs de puissance SiC et GaN L’état actuel de la technologie et du marché du SiC, et les tendance de développement au cours des prochaines années. Le marché des dispositifs SiC est prometteur. Vente de la barrière de Schottky les diodes ont mûri et les expéditions de MOSFET devraient augmenter considérablement au cours des trois prochaines années. Selon l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Pour les matériaux homogènes, la méthode d'immersion par ultrasons, associée à un processus d'optimisation numérique basé principalement sur l'algorithme de Newton, permet la détermination de constantes élastiques pour divers matériaux composites synthétiques et naturels. Néanmoins, la procédure d'optimisation existante présente une limitation principale lorsque le matériau considé...
Un epi-réacteur à paroi chaude vertical permettant d'atteindre simultanément un taux de croissance élevé et une uniformité de grande surface a été développé. Une vitesse de croissance maximale de 250 µm / h est obtenue avec une morphologie semblable à un miroir à 1650 ° C. Sous une modification Epi-réacteur une épaisseur uniforme de 1,1% et une uniformité de dopage de 6,7% pour une zone de ray...