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ingan sic wafer Plaquette épitaxiale 4h-sic gan épitaxie gan substrat Gaufrettes épitaxiées substrat gasb structure épitaxiale de diode laser plaquette de germanium nitrure de gallium

  • cellules solaires gaas à quatre jonctions à liaison directe *

    2018-Jun-19

    www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...

    gain sur gaas gaas inp
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