pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
nous présentons un nouveau processus d'intégration germanium avec des tranches de silicium sur isolant (soi). le germanium est implanté dans le sol qui est ensuite oxydé, piégeant le germanium entre les deux couches d'oxyde (l'oxyde de croissance et l'oxyde enterré). avec un contrôle minutieux des conditions d'implantation et d'oxydation, ce processus crée une fine couche (les expériences actuelle...
www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...
un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le s...
nous rapportons la génération de microdécharges dans des dispositifs composés de microcristallinsdiamant. des décharges ont été générées dans des structures de dispositifs avec des géométries de décharge de cathode à micro-creux. une structure consistait en une plaquette de diamant isolante revêtue de deux couches de diamant dopées au bore. une deuxième structure consistait en une plaquette de dia...
une hétérojonction inas / si formée par un procédé de liaison par tranche humide avec une température de recuit de 350 ° C a été étudiée par microscopie électronique à transmission (tem). inas et si ont été observés comme étant uniformément liés sans aucun vide dans un champ de vision de 2 μm de long dans une image tem à fond clair. une image tem haute résolution a révélé que, entre leinaset ...
les progrès récents dans la croissance des films sic épitaxiaux sur si sont survolés. les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance de sic films sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films épitaxiaux sur Si sont donnés. on montrera que la nouvelle méthode es...
Les segments inas ont été cultivés au sommet des îles Gaas, initialement créés par épitaxie de gouttelettes sur un substrat de silicium. nous avons systématiquement exploré l'espace des paramètres de croissance pour le dépôt des inas, en identifiant les conditions de la croissance sélective sur gaas et pour la croissance purement axiale. les segments axiaux ont été formés avec leurs parois tou...