nous présentons un nouveau processus d'intégration germanium avec des tranches de silicium sur isolant (soi). le germanium est implanté dans le sol qui est ensuite oxydé, piégeant le germanium entre les deux couches d'oxyde (l'oxyde de croissance et l'oxyde enterré). avec un contrôle minutieux des conditions d'implantation et d'oxydation, ce processus crée une fine couche (les expériences actuelle...
les progrès récents dans la croissance des films sic épitaxiaux sur si sont survolés. les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance de sic films sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films épitaxiaux sur Si sont donnés. on montrera que la nouvelle méthode es...
Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection. Les motifs de ...
En utilisant le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à 13,56 MHz, une couche de germe est fabriquée au stade initial de croissance du microcristallin hydrogéné. silicium germanium (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Les effets des processus d'ensemencement sur la croissance de µc-Si1-xGex: couches H et la performance de µc-Si1-xGex: H p-i-n cellules solaires à jonction unique sont é...
Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...
Les progrès récents dans la croissance épitaxiale des films de SiC sur Si sont passés en revue. Les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance des films de SiC sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films de SiC épitaxiéssur Si sont donnés. Il sera montré que la nouve...
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