Au cours de la dernière décennie, les composés iii-n ont suscité beaucoup d'intérêt en raison de leurs applications dans l'optoélectronique bleue, violette et ultraviolette. La plupart des appareils et des recherches utilisent le saphir comme substrat pour l'épitaxie des nitrures. cependant, ces épi-structures contiennent une densité de dislocations très élevée induite par le mésappariement de rés...
une couche de recouvrement en graphite a été évaluée pour protéger la surface de tranches épitaxiées 4h-sic à motif et implantées sélectivement pendant le recuit post-implantation. La résine photosensible az-5214e a été filée et cuite sous vide à des températures allant de 750 à 850 ° C pour former un revêtement continu sur des surfaces sic planaires et mésa-gravées avec des caractéristiques allan...
Dans cet article, nous passons en revue les développements de la production de tranches non polaires (c'est-à-dire m-plan et a-plan) et semi-polaires (c'est-à-dire (20.1)) par méthode ammonothermale. la méthode de croissance et les résultats de polissage sont décrits. nous avons réussi à produire des plaquettes non-et semi-polaires de 26 mm × 26 mm. ces plaquettes possèdent des propriétés structur...
des paillettes de pb (zr0.2ti0.8) o3 bien ordonnées ont été fabriquées sur toute la surface (10 mm x 10 mm) de l'électrode inférieure srruo3 sur un substrat monocristallin srtio3 en utilisant la lithographie par interférence laser (lil) combiné avec un dépôt laser pulsé. la forme et la taille des nanostructures étaient contrôlées par la quantité de pzt déposée à travers les trous à motifs et la te...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le s...
la condition de croissance de mince lourdement dopé mg gan la couche de recouvrement et son effet sur la formation de contact ohmique du gan de type p ont été étudiés. il est confirmé que le dopage mg excessif peut effectivement améliorer le contact ni / au p- gan après recuit à 550 ° c. lorsque le rapport de débit entre les sources de gaz mg et ga est de 6,4% et la largeur de couche est de 25 nm,...
les progrès récents dans la croissance des films sic épitaxiaux sur si sont survolés. les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance de sic films sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films épitaxiaux sur Si sont donnés. on montrera que la nouvelle méthode es...
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