En utilisant le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) à 13,56 MHz, une couche de germe est fabriquée au stade initial de croissance du microcristallin hydrogéné. silicium germanium (μc-Si1-xGex: H) i-layer. Les effets des processus d'ensemencement sur la croissance de µc-Si1-xGex: couches H et la performance de µc-Si1-xGex: H p-i-n cellules solaires à jonction unique sont étudiés. En appliquant cette méthode d’ensemencement, la cellule solaire μc-Si1 − xGex: H montre une amélioration significative de la densité de courant en court-circuit (Jsc) et du facteur de remplissage (FF) avec une performance acceptable de la réponse bleue en cellule solaire μc-Si: H même lorsque la teneur en Ge x augmente jusqu'à 0,3. Enfin, un rendement amélioré de 7,05% est obtenu pour la cellule solaire µc-Si0.7Ge0.3: H.

source: iopscience

Pour plus d'information, veuillez visiter notre site web:semiconductorwafers.net ,

envoyez-nous un email àangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com .