Pour réaliser du carbure de silicium haute performance ( SiC ) des dispositifs de puissance, des contacts ohmiques à faible résistance au SiC de type p doivent être développés. Pour réduire la résistance de contact ohmique, une réduction de la hauteur de la barrière aux interfaces métal / SiC ou une augmentation de la concentration de dopage dans les substrats SiC est nécessaire. La réduction de la hauteur de la barrière étant extrêmement difficile, l’augmentation de la concentration en dopage de 4H-SiC par une technique d'implantation ionique a été contestée. Les métaux Ti / Al et Ni / Ti / Al (où un signe "/" à barre oblique indique la séquence de dépôt) ont été déposés sur les substrats de SiC implantés dans des ions Al. En comparant les résistances de contact expérimentales et théoriques, on a conclu que le mécanisme de transport actuel à travers les interfaces métal / SiC était une émission de champ thermionique et que la hauteur de la barrière était déterminée à environ 0,4 eV. Bien que la concentration de trous augmente avec l'augmentation de la concentration de dopage Al dans 4H-SiC, la hauteur de la barrière aux interfaces métal / SiC augmente en raison de la densité élevée des boucles de dislocations observées au microscope électronique à transmission. Les présentes expériences ont suggéré que les contacts ohmiques à faible résistance seraient formés lorsqu'une technique pour éliminer les défauts cristallins formés dans les substrats 4H-SiC après implantation ionique a été développée.

Source: IOPscience

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