Au cours de la dernière décennie, les composés iii-n ont suscité beaucoup d'intérêt en raison de leurs applications dans l'optoélectronique bleue, violette et ultraviolette. La plupart des appareils et des recherches utilisent le saphir comme substrat pour l'épitaxie des nitrures. cependant, ces épi-structures contiennent une densité de dislocations très élevée induite par le mésappariement de rés...
pam-xiamen produit des lingots monocristallins de haute qualité à base d'antimoniure de gallium (gasb). Nous pouvons également scier, scier, roder et polir les plaquettes à gaz et fournir une qualité de surface épi-prête. le gaz gasb est un composé formé par un élément ga et sb pur de 6n et est cultivé par la méthode czochralski (lec) encapsulée dans un liquide avec epd \u0026 lt; 1000 cm -3. Le c...
Dans cet article, nous passons en revue les développements de la production de tranches non polaires (c'est-à-dire m-plan et a-plan) et semi-polaires (c'est-à-dire (20.1)) par méthode ammonothermale. la méthode de croissance et les résultats de polissage sont décrits. nous avons réussi à produire des plaquettes non-et semi-polaires de 26 mm × 26 mm. ces plaquettes possèdent des propriétés structur...
nous avons étudié les niveaux d'énergie de transition des défauts de lacunes dans le nitrure de gallium au moyen d'une approche de la théorie fonctionnelle de la densité hybride (dft). nous montrons que, contrairement aux prédictions d'une étude récente sur le niveau de dft purement local, l'inclusion de l'échange blindé stabilise l'état de charge triplement positif de la vacance d'azote pour les ...
www.semiconductorwafers.net la technologie de collage direct de plaquettes est capable d'intégrer deux plaquettes lisses et peut ainsi être utilisée dans la fabrication de cellules solaires multijonctions iii-v avec un désaccord de maille. Pour une interconnexion monolithique entre les sous-cellules gainp / gaas et ingaasp / ingaas, l'hétérojonction gaas / inp liée doit être une jonction ohmique h...
un algan micro-usiné / gan transistor à haute mobilité électronique ( hemt ) sur un substrat de type Si avec des couches de dissipation de chaleur en forme de diamant / carbone (dlc / ti) a été étudiée. conductivité thermique supérieure et coefficient de dilatation thermique similaire à celui de gan a permis à dlc / ti de dissiper efficacement la chaleur de l'ourlet de puissance gan à travers le s...
la condition de croissance de mince lourdement dopé mg gan la couche de recouvrement et son effet sur la formation de contact ohmique du gan de type p ont été étudiés. il est confirmé que le dopage mg excessif peut effectivement améliorer le contact ni / au p- gan après recuit à 550 ° c. lorsque le rapport de débit entre les sources de gaz mg et ga est de 6,4% et la largeur de couche est de 25 nm,...
c'est toujours un grand défi pour les dispositifs à base de semi-conducteurs d'obtenir un grand effet de magnétorésistance (mr) sous un champ magnétique faible à température ambiante. Dans cet article, les effets mr photoinduits sous différentes intensités d'éclairage à température ambiante sont étudiés dans un arséniure de gallium semi-isolant ( si-gaas ) basé sur ag / si-gaas / ag. l...
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