la densité et l'intensité de diffusion de la lumière de l'oxygène précipite dans cz silicium les cristaux sont mesurés par tomographie à diffusion de lumière. les données numériques clarifiées à travers les mesures sont discutées en relation avec la quantité d'oxygène précipité. les résultats obtenus correspondent bien à l'analyse théorique selon laquelle les précipités d'oxygè...
Les monocristaux de GaSb dopés Te sont étudiés en mesurant les spectres à effet Hall, à transmission infrarouge (IR) et à photoluminescence (PL). On trouve que le GaSb de type n avec une transmittance IR peut atteindre 60% par le contrôle critique de la concentration en dopage Te et de la compensation électrique. La concentration des défauts associés à l'accepteur natif est apparemment faible ...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Examen par gravure topographique et chimique aux rayons X de Si: monocristaux de Ge contenant 1,2 à 3,0% et 3,0% de Ge, ainsi que des mesures précises des paramètres de réseau, a été réalisée. Des contrastes de diffraction sous forme de «quasi-cercles» concentriques (probablement dus à la distribution non uniforme des atomes de Ge) ont été observés dans les topographes à projection. Les motifs de ...
Expériences orthogonales de croissance de films GaSb sur Substrat GaAs ont été conçus et réalisés à l’aide d’un système LP-MOCVD (Metal-Chemical Chemical Vapor Deposition). Les cristallinités et les microstructures des films produits ont été comparées pour obtenir les paramètres de croissance optimaux. Il a été démontré que le film mince optimisé de GaSb avait une largeur totale étroite à la moiti...
Les progrès récents dans la croissance épitaxiale des films de SiC sur Si sont passés en revue. Les méthodes classiques de base actuellement utilisées pour la croissance des films de SiC sont discutées et leurs avantages et inconvénients sont explorés. L'idée de base et le contexte théorique d'une nouvelle méthode de synthèse de films de SiC épitaxiéssur Si sont donnés. Il sera montré que la nouve...
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