L'irradiation par faisceau d'ions a été examinée en tant que méthode de création de structures de piliers et de cônes semi-conducteurs à l'échelle nanométrique, mais présente l'inconvénient d'un placement imprécis des nanostructures. Nous rapportons une méthode de création et de modélisation à l'échelle nanométrique InAs des pics par irradiation par faisceau ionique focalis...
Pour réaliser du carbure de silicium haute performance ( SiC ) des dispositifs de puissance, des contacts ohmiques à faible résistance au SiC de type p doivent être développés. Pour réduire la résistance de contact ohmique, une réduction de la hauteur de la barrière aux interfaces métal / SiC ou une augmentation de la concentration de dopage dans les substrats SiC est nécessaire. La réduction de l...
Dans cet article, en utilisant un simulateur de dispositif électro-thermique tridimensionnel entièrement couplé, nous étudions le mécanisme de dégradation de l'efficacité en fonctionnement à courant élevé dans des conditions planes. g une Diodes électroluminescentes à base de N (LED). En particulier, l'amélioration de la dégradation de l'efficacité en utilisant des substrats conducteur...
Les caractéristiques lasers dépendantes de la température de collage de la diode laser (LD) GaInAsP de 1,5 µm développée sur une Substrat InP ou Si substrat ont été obtenus avec succès. Nous avons fabriqué le InP substrat ou substrat de Si utilisant une technique de liaison hydrophile directe sur tranche à des températures de liaison de 350, 400 et 450 ° C, et GaInAsP déposé ou Double couche d'...
Informations de contact
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
