Des gaufrettes reproductibles d'une consistance, d'une taille, d'une qualité et d'une disponibilité raisonnables sont une condition préalable

production de masse commerciale d'électronique à semi-conducteurs. de nombreux matériaux semi-conducteurs peuvent être fondus

et recristallisé de manière reproductible en grands monocristaux à l'aide d'un cristal germe, comme dans le

czochralski méthode utilisée dans la fabrication de presque toutes les plaquettes de silicium, permettant raisonnablement large

gaufrettes à produire en série. cependant, parce que sic sublime au lieu de fondre à raisonnablement accessible

pressions, sic ne peut pas être cultivé par des techniques classiques de croissance à l'état fondu. avant 1980, expérimental

Les dispositifs électroniques sic ont été confinés à de petites plaquettes de cristaux sic (généralement 1) de forme irrégulière

cultivé en tant que sous-produit du procédé Acheson pour fabriquer des abrasifs industriels (par exemple du papier de verre)

ou par le processus de Lely. dans le procédé Lely, sic sublimé à partir de poudre polycristalline sic à

des températures proches de 2500 ° c sont condensées de manière aléatoire sur les parois d'une cavité formant de petites, hexagonales

plaquettes en forme. alors que ces petits cristaux non reproductibles permettaient une électronique de base

recherche, ils n'étaient clairement pas adaptés à la production de masse de semi-conducteurs. en tant que tel, le silicium est devenu le

semi-conducteur dominant alimentant la révolution technologique à l'état solide, tout en s'intéressant à la microélectronique à base de sic

était limité.