en raison de la disposition différente des atomes si et c dans le réseau cristallin sic, chaque polytype sic

présente des propriétés électriques et optiques fondamentales uniques. certains des semi-conducteurs les plus importants

les propriétés électriques des polytypes sic 3c, 4h et 6h sont données dans le tableau 5.1. beaucoup plus

les propriétés électriques détaillées peuvent être trouvées dans les références 11-13 et les références qui s'y trouvent. même dans un

donné polytype, certaines propriétés électriques importantes sont non isotropes, en ce sens qu'ils sont des fonctions fortes

de la direction cristallographique du courant et du champ électrique appliqué (par exemple, mobilité électronique)

pour 6h-sic). les impuretés dopantes dans sic peuvent s'incorporer dans des sites énergétiquement inéquivalents. alors que tout

les énergies d'ionisation de dopant associées à divers sites d'incorporation de dopants devraient normalement être

Considéré avec la plus grande précision, le tableau 5.1 liste uniquement les énergies d'ionisation les moins profondes de chaque

impureté.