en tant que fabricant principal de matériau semi-conducteur composé en Chine. pam-xiamen développe des technologies avancées de croissance cristalline et d'épitaxie, allant de la première génération de plaquettes de germanium, deuxième génération d'arséniure de gallium avec croissance de substrat et épitaxie sur des matériaux semiconducteurs de type n dopés au silicium iii-v basés sur ga, al, in, as et p cultivé par mbe ou mocvd, à la troisième génération: carbure de silicium et nitrure de gallium pour l'application des LED et des dispositifs de puissance.
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