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vers une membrane 3c-sic de haute qualité sur un pseudo-substrat 3c-sic

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vers une membrane 3c-sic de haute qualité sur un pseudo-substrat 3c-sic

2017-12-27

points forts

• élaboration d'une membrane 3c-sic lisse sur un substrat sic .

• surface à facettes pour l'orientation (110) mais plus lisse pour l'orientation (111).

• rugosité de la membrane 3c-sic limitée à 9 nm pour l'orientation (111).

• nouveaux dispositifs mems réalisables.

• les énormes propriétés de sic pourraient être entièrement exploitées.


le polytype cubique du carbure de silicium est un candidat intéressant pour les applications micro-électromécaniques (mems) en raison de ses énormes propriétés physico-chimiques. le développement récent d'hétérostructures si / sic multi-empilées a démontré la possibilité d'obtenir une membrane 3c-sic (110) orientée sur un pseudo-substrat 3c-sic, en utilisant comme couche sacrificielle une couche de silicium obtenue par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression un. cependant, l'orientation (110) de la membrane 3c-sic conduit à une surface facettée et rugueuse qui pourrait gêner son utilisation pour le développement de nouveaux dispositifs mems. ensuite, dans cette contribution, un processus de croissance optimisé est utilisé pour améliorer la qualité de surface de la membrane 3c-sic. la progression repose sur la maîtrise d'une orientation (111) du film sic, ce qui se traduit par une surface lisse. une telle structure optimisée pourrait être le point de départ pour la réalisation de nouveaux dispositifs mems dans des applications médicales ou dans des environnements difficiles.

Résumé graphique

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mots clés

3c-sic; micro-usinage; lpcvd; micro-structure; membrane; mems


source: sciencedirect


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