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Liaison activée par la surface de plaquettes de GaAs et de SiC à la température ambiante pour une meilleure dissipation de la chaleur dans les lasers à semi-conducteurs de forte puissance

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Liaison activée par la surface de plaquettes de GaAs et de SiC à la température ambiante pour une meilleure dissipation de la chaleur dans les lasers à semi-conducteurs de forte puissance

2018-12-11

La gestion thermique des lasers à semi-conducteurs de haute puissance revêt une grande importance car la puissance de sortie et la qualité du faisceau sont affectées par la hausse de température de la région à gain. Des simulations thermiques d'un laser à émission de surface à cavité externe verticale par une méthode d'éléments finis ont montré que la couche de soudure entre le film mince semi-conducteur constitué de la région de gain et d'un dissipateur de chaleur a une forte influence sur la résistance thermique et le collage direct. préféré pour obtenir une dissipation thermique efficace.


Pour réaliser des lasers à semi-conducteurs à couches minces directement liés sur un substrat à conductivité thermique élevée, une liaison activée en surface à l'aide d'un faisceau à atome rapide d'argon a été appliquée sur la liaison de l'arséniure de gallium ( GaAs Wafer ) et carbure de silicium tranche (Plaquettes de SiC) . Le GaAs ou SiC la structure a été démontrée à l’échelle de la tranche (2 po de diamètre) à la température ambiante. Les observations en microscopie électronique à transmission en coupe transversale ont montré que des interfaces de liaison sans vide étaient réalisées.


source: iopscience


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