maison / nouvelles /

Croissance semi-cohérente de couches de Bi2Te3 sur des substrats en InP par épitaxie à paroi chaude

nouvelles

Croissance semi-cohérente de couches de Bi2Te3 sur des substrats en InP par épitaxie à paroi chaude

2019-01-21

Nous recherchons des conditions de croissance optimales pour réaliser des BiTe couches sur InP (111) B par épitaxie à paroi chaude. Le substrat fournit un décalage de réseau relativement petit et les couches orientées (0001) se développent donc de manière semi-cohérente. La fenêtre de température pour la croissance s'avère être étroite en raison du désadaptation non nulle du réseau et de la ré-évaporation rapide du BiTe. Les qualités cristallines évaluées au moyen de la diffraction des rayons X révèlent des détériorations lorsque la température du substrat s'écarte de l'optimum non seulement à basses températures mais également à des températures élevées.


Pour des températures de substrat élevées, la composition de Bi augmente au fur et à mesure que Te est partiellement perdu par sublimation. Nous montrons en outre que l'exposition du flux de BiTe à des températures encore plus élevées aboutit à une gravure anisotrope des substrats due probablement à la substitution de Bi par les atomes In des substrats. En développant des couches de BiTe sur InP (001), nous démontrons que l'anisotropie de la liaison à la surface du substrat entraîne une réduction de la symétrie d'alignement épitaxiale dans le plan.


source: iopscience

Plus d'informations sur d'autres produits comme Substrat InP , Inp Wafer etc bienvenue visiter notre site web:semiconductorwafers.net ,

envoyez-nous un email àangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com .


Contactez nous

Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.
   
Si vous souhaitez un devis ou plus d'informations sur nos produits, s'il vous plaît laissez-nous un message, vous répondrons dès que possible.