Nous rapportons la croissance de l'épitaxie par faisceau moléculaire (mbe) et les caractéristiques des dispositifs des cellules solaires ge. L'intégration d'une cellule de fond ge sous une pile à triple jonction de treillis appariée cultivée par mbe pourrait permettre des efficacités ultra-élevées sans croissance métamorphique ou liaison de plaquette. cependant, une jonction diffuse ne peut pas être facilement formée à l'intérieur de mbe en raison du faible coefficient de collage des molécules du groupe ge surfaces. nous avons donc réalisé des jonctions ge par croissance de n-ge homo-épitaxiale sur des tranches de p-ge dans un système mbe standard iii-v. Nous avons ensuite fabriqué des cellules solaires, en trouvant la température de croissance et le recuit post-croissance pour être des facteurs clés pour atteindre un rendement élevé. valeurs de tension de circuit ouvert et de facteur de remplissage de ~ 0,175 v et ~ 0,59 sans une couche de fenêtre ont été obtenus, qui sont tous deux comparables à diffusé ge jonctions formées par épitaxie en phase vapeur organométallique. Nous démontrons également la croissance de gaas à un seul domaine de haute qualité sur la jonction ge, comme nécessaire pour la croissance ultérieure des sous-cellules iii-v, et que la passivation de surface apportée par la couche gaas améliore légèrement la performance des cellules ge.

source: iopscience

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